| 開設年度 | 2016 年度 |
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| 科目コード | T255008 |
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| 授業コード | T25500801 |
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| 授業科目名 | 波動応用計測 |
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| 同上英語名 | Applied Wave Electronics and Measurement |
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| 単位数 | 2.0 単位 |
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| 開講学科 | 工学研究科人工システム科学専攻（電気電子系コース） (T272) |
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| 開放区分 | |
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| 担当教員 | (梅沢 仁) |
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開講時限・
講義室等 | 後期集中
（10/4, 11, 18, 25, 11/8の1〜3コマ開講） |
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科目区分
（詳細表） |
- 2016年入学生：
- 選択科目S30（T251:工学研究科建築学コース（後期）, T252:工学研究科都市環境システムコース（後期）, T261:工学研究科デザイン科学コース（後期）, T271:工学研究科機械系コース（後期）, T272:工学研究科電気電子系コース（後期）, T273:工学研究科メディカルシステムｺｰｽ（後期）, T281:工学研究科共生応用化学コース（後期））
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| シラバス | - ［授業の方法］
- 講義
- ［受入人数］
- １０名程度。
- ［受講対象］
- 自学部他学科生 履修可,他学部生 履修可,科目等履修生 履修可
- ［授業概要］
- 電子機器の革新は新しい材料から始まる。次世代を支える省エネルギー半導体素子や創エネルギー素子などについて焦点を当て、応用側の視点から結晶材料の基礎を学ぶ。
- ［目的・目標］
- 社会に出てから波動・半導体・電池等の、デバイス研究・開発・製造に携わる際に必要な総合的観点を持つことを目標とし、応用から材料までの技術を俯瞰的に整理し理解することを目標とする。
- ［授業計画・授業内容］
- 材料革新によってもたらされる性能改善を原著論文にさかのぼって理解し、研究開発現場に触れることで次世代材料について理解を深める。
- 半導体材料概論
- 結晶構造と電子状態1
- 結晶構造と電子状態2
- 結晶成長
- 結晶評価の手法と原理
- 結晶欠陥
- 表面と界面
- ワイドギャップ半導体
- 応用素子1：省エネルギーデバイス1
- 応用素子1：省エネルギーデバイス2
- 応用素子2：創エネルギーデバイス1
- 応用素子2：創エネルギーデバイス2
- 応用素子3：高周波デバイス
- 回路と応用
- シミュレーション技術
- ［キーワード］
- 半導体材料、結晶工学、パワーデバイス、エネルギー変換素子
- ［教科書・参考書］
- 必要な場合に適宜紹介をする。
- ［評価方法・基準］
- 出席と、個々人の研究テーマに関連する材料・技術に関して、材料学的調査・考察したレポートで評価する。
- ［関連科目］
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- ［履修要件］
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- ［備考］
- 連絡先：hitoshi.umezawa@aist.go.jp
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| 関連URL |
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| 備考 | |
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